• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《化学通报（印刷版）》 >卤素离子与卤代苯气相SNAr反应理论研究

卤素离子与卤代苯气相SNAr反应理论研究

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

采用B3LYP/6-311+G**和MP2/6-311 +G**方法,研究了卤素离子与卤代苯气相SNAr反应(ArY+X =ArX+Y-,X,Y=F,Cl,Br和I).结果显示,气相里除了X=Y=F反应为分步路径外,其余反应通道都是协同SNAr机理;F离子进攻卤苯SNAr反应无论从动力学(总能垒△Gb=9.0 ～ 17.3 kJ/mol)还是热力学上来说都很容易进行,然而Cl、Br和I离子进攻的反应,其MP2吉布斯自由能垒(△Gb)高达91.3～202.5 kJ/mol,因此在气相里很难发生;另外,标题反应的反应性可以通过卤素离子质子亲和能(PA)、最高占据轨道能(EHOMO)、Mulliken电负性(x)以及Wiberg键级(BO)与NPA电荷(Q)来分析,其中,过渡态里C—Y键的断裂是引起反应能垒升高的主要因素,亲核试剂的亲核能力主要由EHOMO控制,而卤素离子的离去能力由其PA或x决定.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号