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Deva N.Pattanayak; Yuming Bai; King Owyang;
Vishay Siliconix公司;
技术; 低压; 可扩展性; 质因数; 场理论; 电压; 器件;
机译:平面,超结和沟槽低压功率MOSFET的可靠性
机译:SOI薄衬底上的低压超结LDMOS结构分析
机译:通过一种新颖的形成技术制造的高性能Ge超浅结,该技术采用旋涂掺杂剂和激光退火技术,适用于10 nm以下的技术应用
机译:低压超结功率MOSFET:一种应用优化技术
机译:高增益Ingap / GaAs异质结双极晶体管的低压金属化学气相沉积
机译:使用近端结技术的低成本锚固修复的临床结果使用近端结技术
机译:低压超结MOSFET仿真与实验
机译:电化学技术制备超小磁性结的原位表征。
机译:适用于中低压电源管理应用的浅沟道CMOS兼容超结器件结构
机译:低压超结MOSFET
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