CdSe/CdS核/壳纳米线的制备及光学性质研究

赵辉

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Cd Se、Cd S是重要的II-VI族纳米半导体化合物,具有较大的禁带宽度和激子束缚能,以宽带隙半导体Cd S为壳层包覆窄带隙半导体Cd Se核层,使表面缺陷减少,从而提高核层的荧光量子产率。文章对Cd Se/Cd S核/壳纳米线进行了制备,并探寻了Cd Se/Cd S核/壳纳米线的光学性质,为纳米材料在光学、光子学方面的应用奠定了基础。

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来源
《中国高新科技》 |2015年第23期|15-16|共2页
作者
赵辉;
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作者单位

国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
CdSe; CdS; 纳米线; 半导体; 核壳结构; 光致发光;

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