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基于SMIC40LL工艺的DDR物理层IP设计

         

摘要

随着高性能消费电子如智能手机,平板电脑的迅速普及,对高性能低功耗的DDR接口电路的需求随之迅速增加.本文论述了在SMIC40LL工艺上实现了高性能、低功耗、小面积的DDR物理层IP技术,包括DDR物理层架构、DLL设计、I0设计和物理实现.该物理层IP可以在SS条件下达到1333Mbps的速率并在核心电压稍稍过压下达到1600Mbps的速率.

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