栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究

田波; 亢宝位; 吴郁; 韩峰

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栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究

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新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域.通过理论及仿真分析,与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较.结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%.

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来源
《中国集成电路》 |2009年第2期|13-16|共4页
作者
田波; 亢宝位; 吴郁; 韩峰;
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作者单位

北京工业大学,北京,100022;

北京工业大学,北京,100022;

北京工业大学,北京,100022;

北京工业大学,北京,100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
半导体器件; 工艺参数/金属-氧化物-半导体场效应晶体管;

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