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Diodes推出操作运行温度低于大型封装器件的超小型MOSFET

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cqvip:Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006—3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0．6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻（ROJA）为256℃／W，在连续条件下功耗高达1．3W，而同类产品的功耗则多出一倍。

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来源
《中国集成电路》 |2011年第6期|P.16-16|共1页
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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
MOSFET; 封装器件; 超小型; 运行温度; 操作; 连续条件; 产品线; PCB;

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