关于GaN晶体生长助熔剂的研究

李杰; 王静芳; 李敏; 赵鑫

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宽带隙半导体GaN材料在光电子等方面有重要应用,采用Li3N与Ca同时作为助熔剂的熔盐法,可在温和条件下生长毫米级的GaN块单晶.为避免助熔剂之间发生副反应,通过研究不同条件下Li3N与Ca的反应,应用X射线衍射分析技术对产物进行物相鉴定,探讨反应机理并归纳出生成LiCaN的影响因素,从而为GaN生长提供指导.

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来源
《中国科技信息》 |2005年第16期|1130|共2页
作者
李杰; 王静芳; 李敏; 赵鑫;
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作者单位

北京科技大学应用科学学院化学系,100083;

北京科技大学应用科学学院化学系,100083;

北京科技大学应用科学学院化学系,100083;

北京科技大学应用科学学院化学系,100083;

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正文语种 chi
中图分类硅酸盐工业;
关键词
化学反应; 合成; 氮化物;

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