Sn薄膜沉积时间对首周锂离子容量损失的影响

李剑文; 戴新义; 黄宗令; 周爱军; 李晶泽

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Sn薄膜沉积时间对首周锂离子容量损失的影响

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通过控制直流磁控溅射时间在15～3600s之间制备出系列不同厚度的sn薄膜负极，研究了沉积时间变化对首周不可逆容量损失的影响。当Sn薄膜沉积时间为15s时，首周放电容量远远大于理论容量，其中首周充放电不可逆容量损失占首周放电容量的56％以上，1．5V至锡锂合金化反应电位0．67V之间出现的SEI膜是造成该不可逆容量的主要原因。随着薄膜沉积时间增加，首周容量损失呈现非单调变化趋势。当沉积时间低于600s时，首周容量损失与SEI膜容量变化趋势基本一致；当沉积时间长于600S时，首周容量损失单调递增，而SEI膜容量单调下降，说明SEI膜的形成不再是首周容量损失的主要原因。应用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对不同沉积时间Sn薄膜进行结晶形态和表面形貌分析，探讨了薄膜表面形貌、结晶形态与SEI膜容量及首周不可逆容量损失之间的关系。

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来源
《中国科技论文》 |2013年第2期|P.104-108|共5页
作者
李剑文; 戴新义; 黄宗令; 周爱军; 李晶泽;
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作者单位

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610051;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类电化学、电解、磁化学;
关键词
锂电池; 磁控溅射; 锡; 薄膜; SEI膜; 表面形貌;

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