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α-Si3N4晶种对层状多孔氮化硅陶瓷性能的影响

         

摘要

利用二氧化硅在氮气中的碳热还原反应,原位制备氮化硅多孔陶瓷.由于反应中存在大量的质量损失,烧结后可望形成高气孔的材料.通过改变原料中α-Si3N4晶种与二氧化硅和碳粉的相对含量,获得了气孔率可控的多孔氮化硅陶瓷.以此种控制多孔氮化硅气孔率的工艺为基础,制备三层层状多孔氮化硅陶瓷,考察中间层的成分和层间界面对层状多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响.当中间层与表面层的收缩率相差较大时,虽然是弱界面结合,但产生的界面残余应力对层状多孔氮化硅的力学性能非常有利,当中间层与表面层的收缩率和气孔率接近时,弱界面结合转变为强界面结合.所制备的三层层状多孔氮化硅陶瓷具有优异的力学性能.

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