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ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光

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摘要

本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。

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来源
《中国科技论文》 |2007年第5期|317-319|共3页
作者
叶志镇; 曾昱嘉; 卢洋藩; 何海平;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;薄膜的生长、结构和外延;
关键词
ZnO; p型掺杂; 发光二极管;

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