采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计

张立军; 吴晨; 王子欧; 毛凌锋

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采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计

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给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗.该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(high-Vth)器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流.基于UMC 55nm SPCMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性.

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来源
《高技术通讯》 |2014年第2期|171-176|共6页
作者
张立军; 吴晨; 王子欧; 毛凌锋;
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作者单位

苏州大学城市轨道交通学院苏州215006;

苏州秉亮科技有限公司苏州215021;

苏州大学城市轨道交通学院苏州215006;

苏州大学城市轨道交通学院苏州215006;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
静态随机存储器(SRAM); 低功耗; 钳位二极管; 漏电流;

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