8-羟基脱氧鸟苷在壳聚糖/石墨烯修饰电极上的电化学及DNA氧化损伤检测

安玲玲; 路毛凤; 邓玲玲; 杜江燕

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8-羟基脱氧鸟苷在壳聚糖/石墨烯修饰电极上的电化学及DNA氧化损伤检测

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采用循环伏安(CV)、线性扫描伏安(LSV)和示差脉冲伏安(DPV)等方法研究了8-羟基脱氧鸟苷(8-OHdG)在壳聚糖(Chi)/石墨烯(GR)修饰的玻碳电极(GCE)上的电化学行为,8-OHdG在该修饰电极上氧化峰电流与其浓度在3.5 ×10-7～1.4×10-4 moL/L范围内呈良好的线性关系,检测限为6.4×10-8 moL/L(S/N =3).将Chi/GR/GCE用于检测DNA氧化损伤,8-OHdG在修饰电极上的氧化峰电流与损伤的DNA质量浓度在10～300 mg/L范围内呈良好的线性关系,损伤DNA检出限为0.026 mg/L(S/N=3).

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来源
《应用化学》 |2014年第2期|200-205|共6页
作者
安玲玲; 路毛凤; 邓玲玲; 杜江燕;
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作者单位

南京师范大学化学与材料科学学院;

南京师范大学化学与材料科学学院;

南京师范大学化学与材料科学学院;

南京师范大学化学与材料科学学院;

江苏省生物功能材料重点实验室;

江苏省新型动力电池重点实验室南京210046;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电化学分析法;
关键词
羟基脱氧鸟苷; 壳聚糖; 石墨烯; DNA氧化损伤; 电化学检测;

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