一种基于增强型NMOS反相器的低错误率只读PUF

魏欣; 孙玥

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降低BER(比特错误率)是应用于物联网安全领域PUF(Physical Uncloneble Function)的热点问题.针对降低比特错误率,提出了一种新型低比特错误率的只读PUF.这种新型PUF的核心思想是用EE(Enhancement-Enhancement)NMOS反相器替代在传统的SRAM存储单元中的CMOS反相器,使得存储单元的上电阶段数据对噪声抵抗能力增强.在180 nm工艺标准下,蒙特卡洛仿真结果显示此新型PUF在室温下的比特错误率低于1％,与传统SRAM PUF相比,比特错误率大幅减小.芯片实测结果证实了此结论.

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来源
《电子器件》 |2018年第4期|1037-1041|共5页
作者
魏欣; 孙玥;
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作者单位

南京信息职业技术学院电子信息学院,南京210023;

南京信息职业技术学院电子信息学院,南京210023;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
物理不可克隆函数; 低比特错误率; CMOS工艺;

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