掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究

李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 刘果果; 庞磊; 陈晓娟; 刘丹; 姚小江; 和致经

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对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响.

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来源
《电子器件》 |2007年第5期|1532-15341538|共4页
作者
李诚瞻; 刘键; 刘新宇; 刘果果; 庞磊; 陈晓娟; 刘丹; 姚小江; 和致经;
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作者单位

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
GaN; HEMT; 电流崩塌效应; 掺杂;

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