首页> 中文期刊> 《电子器件》 >一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

         

摘要

本文提出了一种数值积分方法,通过这种方法结合热激发场效应电导法可以推导薄膜晶体管的多晶硅材料禁带中的态密度,根据这种方法。我们研究了氢等离子本处理对多 硅薄膜晶体管木材禁态密度的影响。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号