基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计

何宁; 李烁星; 张萌; 何乐

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基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计

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展示了一款基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计的高线性宽带放大器芯片,该芯片可覆盖P波段、L波段、S波段,实现宽带放大。放大器采用三级级联结构,包括输入级、中间级和输出级。输入级采用两级级联的共栅结构,在实现输入宽带匹配的同时,可有效提升隔离度,并提供一定的电压增益;中间级采用高输入阻抗的共源结构分布式放大电路,延展带宽,通过电压传递的方式降低级间匹配难度,减少片上电感使用;输出级在传统的共源结构基础上,通过电感负载及增加电阻负反馈的功率放大器设计方法,在延展带宽的同时提高了线性度,折中功率输出,PAE得到优化。芯片通过流片面积为0.7 mm×1.2 mm,测试结果显示,该放大器工作频率可覆盖500 MHz~2.5 GHz,工作带宽>1.5 GHz,相对带宽达到100%,OP_(1dB)>9 dBm,增益S_(21)>16 dB,达到了宽带放大和高线性度性能要求,验证了本文所述理论的正确性,满足综合射频(通信、雷达、电子战)应用需求。

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来源
《电子器件》 |2021年第6期|1292-1297|共6页
作者
何宁; 李烁星; 张萌; 何乐;
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作者单位

航天科工通信技术研究院有限责任公司;

东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP433;
关键词
宽带; 高线性度; 放大器芯片; 射频CMOS工艺;

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