雾化辅助CVD腔体的优化设计与实现

樊俊良; 肖黎; 罗月婷; 陈刚; 瞿小林; 唐毅; 龚恒翔

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雾化辅助CVD腔体的优化设计与实现

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为了实现雾化辅助CVD(chemical vapor deposition,化学气相沉积)腔体的可定制性、可复用性及经济性,并满足高质量单晶氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜制备的实际需求,设计开发了一种新型雾化辅助CVD腔体。该腔体主要由反应腔室模块、冷却模块和缓冲腔室模块组成。采用新型腔体和常规腔体进行了单晶Ga_(2)O_(3)薄膜制备实验,对Ga_(2)O_(3)薄膜进行了X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)图谱分析,并采用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)观察其表面形貌。实验结果表明:采用新型腔体可制备出性能更优的α-Ga_(2)O_(3)、β-Ga_(2)O_(3)薄膜;采用新型腔体和常规腔体制备的α-Ga_(2)O_(3)薄膜的(006)晶面的半峰宽分别为0.172°、0.272°,表面粗糙度分别为25.6 nm和26.8 nm,可见采用新型腔体制备的α-Ga_(2)O_(3)具有更优的结晶度、表面平整性和致密度。通过新型腔体的设计,构建了更有利于单晶Ga_(2)O_(3)薄膜生长的稳定环境,为Ga_(2)O_(3)薄膜制备工艺的优化提供了可靠路径。研究结果为制备高品质金属氧化物半导体薄膜提供了参考。

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来源
《工程设计学报》 |2023年第2期|182-188|共7页
作者
樊俊良; 肖黎; 罗月婷; 陈刚; 瞿小林; 唐毅; 龚恒翔;
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作者单位

重庆理工大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类其他专用机械与设备;薄膜的生长、结构和外延;
关键词
雾化辅助化学气相沉积; 新型腔体; 单晶Ga_(2)O_(3)薄膜; 工艺优化;

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