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Sb_(2)O_(3)/BiVO_(4)/WO_(3)异质结构建及光电催化合成过氧化氢

         

摘要

采用溶剂热法-旋涂法构建了Sb_(2)O_(3)/BiVO_(4)/WO_(3)半导体异质结,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等手段表征了其物化性质。在1.23 V(vs RHE)电位下,BiVO_(4)/WO_(3)的光电流密度相对于BiVO_(4)提高了2倍。进一步复合Sb_(2)O_(3)之后,虽然Sb_(2)O_(3)/BiVO_(4)/WO_(3)薄膜的光电流密度有所下降,但其光电催化产H_(2)O_(2)的法拉第效率和产生速率得到明显提升。在1.89 V(vs RHE)电位下,3c-Sb_(2)O_(3)/BiVO_(4)/WO_(3)薄膜产H_(2)O_(2)的法拉第效率提高到约19%;1c-Sb_(2)O_(3)/BiVO_(4)/WO_(3)薄膜H_(2)O_(2)产生速率从约2.1μmol·h-1·cm^(-2)提高到约3.6μmol·h-1·cm^(-2)。此外,Sb_(2)O_(3)的复合显著提高了BiVO_(4)/WO_(3)电极材料的光电催化稳定性。

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