稀土元素对ZrO2-M2O3/MCM-41(M=La,Ce,Sm,Gd)氢转移催化活性的影响

邓冰心; 张波; 姜剑锋

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稀土元素对ZrO2-M2O3/MCM-41(M=La,Ce,Sm,Gd)氢转移催化活性的影响

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通过浸渍法制备了5％ZrO2/MCM-41、5％ZrO2-5％M2O3/MCM-41(M=La,Ce,Sm,Gd)催化剂,考察其在苯乙酮氢转移还原生成α-苯乙醇反应中的催化活性,同时对样品进行XRD、N2吸附-脱附、吡啶吸附原位红外等表征分析,研究添加稀土金属氧化物对催化剂活性的影响机理.结果表明:ZrO2及稀土金属氧化物均以无定型态或粒度低于XRD检测限的细小晶粒较好地分散在MCM-41介孔分子筛内表面;加入稀土金属氧化物对ZrO2/MCM-41的催化活性有较大影响,催化活性按5％ZrO2-5％La2O3/MCM-41 ＞5％ZrO2-5％Sm2O3/MCM-41 ＞5％ZrO2-5％Gd2O3/MCM-41 ＞5％ZrO2/MCM-41 ＞5％ZrO2-5％Ce2O3/MCM-41降低.这一方面归因于加入稀土金属氧化物增强了催化剂表面Zr-OH、L酸中心及B酸中心的酸性,另一方面归因于La2O3的加入使催化剂表面酸中心数目明显提高,Sm2O3、Gd2O3的加入使催化剂表面酸中心数目有所降低,而加入Ce2O3使催化剂表面酸中心数目显著减少.

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来源
《无机化学学报》 |2015年第1期|153-158|共6页
作者
邓冰心; 张波; 姜剑锋;
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作者单位

浙江工业大学化学工程学院工业催化研究所,杭州 310014;

浙江工业大学化学工程学院工业催化研究所,杭州 310014;

浙江工业大学化学工程学院工业催化研究所,杭州 310014;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类稀有元素与分散元素;多相催化反应（非均相催化）;
关键词
氧化锆; MCM-41介孔分子筛; 稀土金属氧化物; 苯乙酮; 氢转移反应;

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3. reducerskiva, planreduceringsmaskin including such a reducerskiva, as well as a huggdonssats for such a reducerskiva [P] . 外国专利： SE0700461L . 2008-03-18

机译：reducerskiva，planreduceringsmaskin包括此类reducerskiva，以及用于此类reducerskiva的huggdonssats

4. Present feedback-enhanced light-emitting device description of the related application is, claims the benefit of (which is incorporated herein by reference in its entirety) to U.S. Provisional Application No. 60 / 379,141, filed May 8, 2002 to. The referred to as a "lighting device using a feedback-enhanced light-emitting diode (LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE)" and the application May 8, 2003 the United States Patent Application No. issue, and filed May 8, 2003 application, "feedback-enhanced lighting diode U.S. Patent Application No. (these applications, in its entirety is incorporated herein by reference) are associated with the designated display device was used and (DISPLAYDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE) ". [P] . 外国专利： JP2005524958A . 2005-08-18

机译：本反馈增强型发光装置<相关申请的描述>要求（其全部内容通过引用合并于此）2002年5月8日提交的美国临时申请No.60 / 379,141的权益。称为“使用反馈增强型发光二极管的照明装置（LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE）”，并且申请号为2003年5月8日，美国专利申请号为，并提交了2003年5月8日申请的“反馈型照明装置”。二极管美国专利申请号（这些申请的全部内容通过引用并入本文）与所使用的指定显示装置相关联和（DISPLAYDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE）。

5. Application Description of the Related Application lighting device using feedback enhanced light emitting diodes are incorporated herein by reference in its (all U.S. Provisional Application No. 60 / 379,141 filed May 8, 2002 I claims the benefit of). United States Patent Application No. No., and the present application, display device using the "feedback-enhanced lighting diode, filed May 8, 2003's referred to as a" feedback-enhanced light-emitting device (FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE) "and the application May 8, 2003 U.S. Patent Application No. (these applications, in its entirety is incorporated herein by reference) are associated with the called for (DISPLAYDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE) ". [P] . 外国专利： JP2005524965A . 2005-08-18

机译：申请<相关申请的描述>使用反馈增强型发光二极管的照明装置通过引用并入本文（2002年5月8日提交的所有美国临时申请No.60 / 379,141，我要求其利益）。美国专利申请No.No.1和本申请的显示装置使用了“反馈增强型发光二极管，于2003年5月8日提交，被称为”反馈增强型发光装置（FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE）”，本申请例如，美国专利申请2003年第8号（这些申请的全部内容通过引用并入本文）与“ DISPLAYDEVICESUSSUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE”相关联。

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