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制备高比表面积碳化硅的几种影响因素

         

摘要

采用溶胶凝胶法,以蔗糖和正硅酸乙酯(TEOS)为原料,草酸为TEOS水解的催化剂,制备均相碳化硅前驱体,在氩气氛和高温条件下(1 350~1 600℃)将碳化硅先驱体进行碳热还原,制备出高比表面积的SiC.考察了水/TEOS物质的量的比、碳/硅物质的量的比及镍盐等因素对碳化硅比表面积的影响.结果表明,当nwaterTEOS=7.5,ncSi=4时,适宜的镍催化剂(nNiTEOS=0.005),凝胶形成的时间最短,镍盐的加入可使碳热还原温度降低200℃.

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