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邱继军; 靳正国; 钱进文; 石勇; 武卫兵;
天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;
CuInS2薄膜; ILGAR法; C2H5OH溶剂;
机译:离子层气相反应法制备CuInS2薄膜的表征
机译:ZnS纳米点薄膜作为通过喷雾-ILGAR沉积的Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜太阳能电池的缺陷钝化层(离子层气体反应)
机译:[Cu] / [In]比对连续离子层吸收反应法制备的CuInS2薄膜性能的影响
机译:ILGAR技术。八。 Cu(InGa)(S,Se)的硫化缓冲层通过离子层气体反应制备的 2 sub>太阳能电池(ILGAR)
机译:微波等离子体化学气相沉积法在钛6铝4钒合金颞下颌关节假体上制备纳米晶金刚石薄膜。
机译:一种光化学逐层溶液法用于制备在正确位置具有正确材料的有机半导体薄膜
机译:ILGAR法制备电致变色三氧化钨薄膜的研究
机译:用单源前驱体喷雾热解制备薄膜CuIns2
机译:通过金属有机化学气相沉积制备CuInS2薄膜的方法,用相同的方法制备的CuInS2薄膜及其制备In2S3薄膜的方法
机译:金属有机化学气相沉积Cuins2薄膜的制备方法,Cuins2薄膜的制备及其In2S3薄膜的制备方法
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
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