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Cd2Ge7O16中Tb的长余辉发光特性

         

摘要

本文研究了Cd2Ge7O6:Tb3+材料的发光及其长余辉性质.指出Tb3+的发光是该离子的5D3-7FJ、5D4-7FJ两种跃迁产生的;随着掺杂浓度的增加5D4-7FJ跃迁增强,发光颜色由蓝变绿.并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱.提出余辉机理模型.

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