SbxSn1-xO2固溶体系电学性能与导电机制研究

刘杏芹; 朱海宁; 沈瑜生

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SbxSn1-xO2固溶体系电学性能与导电机制研究

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本文报道以均匀共沉淀法制得SbxSn1-xO2体系半导体气敏材料,研究了固溶体组成与电导的变化规律,并对导电机制进行了讨论.结果表明:x＜0.30时均可生成固溶体.微量Sb(x=0.04)的掺入即能提高SnO2电导一个数量级,在x≤0.04区间电导都呈上升趋势,其后一直到固溶范围内随着X增加,电导反而缓慢下降.根据体系中存在的Sb°sn和Sb＇sn两种缺陷,讨论了其电导变化和导电机制.认为平衡Sb°sn+2e′=Sb＇sn对上述导电机制起决定作用.XPS分析对Sb5+、Sb3+的含量进行了确认,交流阻抗谱的测试结果从另一角度对电导行为加以证实.

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来源
《无机化学学报》 |1996年第2期|130-134|共5页
作者
刘杏芹; 朱海宁; 沈瑜生;
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作者单位

中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;

中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;

中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
二氧化锡; 气敏半导体; 固溶体; 导电机制;

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