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高性能顶栅结构有机薄膜晶体管

         
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摘要

采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT).在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多.在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6 cm2/V·s.研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因.%Organic thin film transistors based on Weak Epitaxy Growth (WEG) technology are fabricated with two different design: top-gate and bottom-gate configurations. The active layer materials of the OTFT are p-6P and vanadyl phthalocyanine (VOPc). The two struc- tural OTFTs are prepared under the same process conditions, and it is found that the device performance is different. The mobility of top-gate OTFT is much higher than that of the bottom-gate OTFT. A high mobility of 1. 6 cm2/V·s is obtained in the top-gate structure. The differentiation of top-gate and bottom-gate OTFTs is studied by Weak Epitaxy Growth (WEG) technology, and the reasons of higher mobility OTFT based on the top-gate configuration is explained.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》 |2012年第3期|313-317|共5页
  • 作者

    洪飞; 谭莉; 朱棋锋; 向长江; 韩学斌; 张其国; 郭晓东; 申剑锋;

  • 作者单位

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

    中国科学院上海高等研究院新型显示技术研究中心,上海201210;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN321.5;
  • 关键词

    有机薄膜晶体管; 顶栅结构; 弱外延; 氧钒酞菁;

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