电压对有机蓝光器件发光光谱的影响

姜文龙; 王静; 丁桂英; 汪津; 王立忠; 韩强; 王洪梅; 赵晓红

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介绍了结构为ITO/40 nm 4,4',4"-tris[N,-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine(m-MTDATA)/5 nm N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)/x nm 4,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)-1,1-biphenyl(DPVBi)/y nm 6,11,12,-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)/40 nm tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq)/0.5 nm LiF/Al的器件,其发光光谱的半峰宽在电压由2 V变为12 V时,由140 nm变为70 nm,器件发光的峰值波长由456 nm变为444 nm的规律.半峰宽变窄是由于随着电压的升高,被Rubrene俘获的电子获得了足够的能量,越过Rubrene层,在DPVBi中与注入的空穴形成激子而复合发光的概率的逐步增加所造成的.峰值波长蓝移是由于激子的形成区域随着电压的增加逐渐由DPVBi层移向NPB层造成的.器件峰值波长的这种变化对器件的色度改善有着很大的影响.

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来源
《液晶与显示》 |2007年第3期|235-239|共5页
作者
姜文龙; 王静; 丁桂英; 汪津; 王立忠; 韩强; 王洪梅; 赵晓红;
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作者单位

吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000;

吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000;

吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000;

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吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000;

吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000;

吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000;

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正文语种 chi
中图分类 TN873.3;
关键词
有机电致发光器件; 峰值波长; 蓝移;

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