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何胜夫;
中国科学院长春物理所;
液相外延 Ⅲ-Ⅴ族半导体 InP Yb 发光波长 吸收谱 阈值电流 半导体器件 高纯氢气 本工;
机译:稀土(Er,Yb)掺杂InP和GaAs发光二极管中电致发光的比较研究
机译:InP与通过液相外延生长在Gd / sub 3 / Ga / sub 5 / O / sub 12 /衬底上的稀土石榴石之间的直接键合
机译:稀土掺杂浓度梯度晶体光纤的生长及稀土掺杂Y_2O_3(RE = Yb〜(3 +),Er〜(3 +),Ho〜(3+))中激光共振跃迁的动力学过程分析
机译:选择性区域冶金液相外延制造的Si掺杂INP纳米线的光致发光光谱研究
机译:ER,Yb和Tm,Yb掺杂β-Nayf4纳米膦术中升高动态的速率方程建模
机译:调查Tb3 +或Yb3 +稀土离子掺杂的InMO4(M = V5 +Nb5 +Ta5 +)晶体的发光特性
机译:使用Se掺杂的GaAs缓冲层和光栅图案基板对INP高质量GaAs的液相外延生长
机译:InGaas在Inp上的液相外延生长过程与稀土处理
机译:fotodarkenings的方法-掺杂yb的光纤的不足,fotodarkenings-抑制的yb掺杂的光纤和Fiberlaser
机译:制造稀土掺杂的氮化硅氮化物荧光剂的方法,以这种方式,可制造的稀土掺杂的氮化硅氮化物荧光剂以及具有这种稀土掺杂的氮化硅氮化物荧光剂的辐射发射装置
机译:稀土掺杂碱土金属氮化硅磷光体的制造方法,可通过这种方法获得的稀土掺杂碱土金属氮化硅磷光体和包括该稀土掺杂碱土金属氮化硅磷光体的辐射发射装置
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