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淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响

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摘要

利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。

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来源
《液晶与显示》 |1999年第4期|279-283|共5页
作者
朱永福; 李牧菊; 杨柏梁; 刘传珍; 廖燕平; 袁剑锋; 刘雅言; 申德振;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

中国科学院长春应用化学研究所;

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正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
等离子体化学气相沉积; 非晶氮化硅薄膜; 含氢范围;

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