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MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜

         
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摘要

were separately prepared on A12O3 substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. The microstructure, electrical and optical properties were studied by X-ray diffraction (XRD) , scanning electron microscopy, Hall effect measurement, the room temperature photolumi-nescence (PL) spectrum, respectively. The n-type ZnO films with a carrier concentration of 1 x 1019 cm-3 and p-type films with carrier concentration of 1. 66 x 1016 cm-3 were obtained. SEM images showed the films had highly oriented columnar structure. PL spectrum displayed p-type ZnO films showed good optical qualities.%采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征.通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019 cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016 cm-3.所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2013年第1期|82-86|共5页
  • 作者

    殷伟; 张金香; 崔夕军; 赵旺; 王辉; 史志峰; 董鑫; 张宝林; 杜国同;

  • 作者单位

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

    集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
  • 关键词

    MOCVD; ZnO薄膜; Ga、P掺杂;

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