In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响

著录项

• 来源
  《发光学报》 |2010年第1期|91-95|共5页
• 作者

  张延召; 张向锋; 成彩晶; 孙维国; 秦志新; 桑立雯; 许正昱; 于涛; 杨子文; 沈波; 张国义; 赵岚;

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• 作者单位

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  洛阳光电研究所,河南,洛阳,471009;

  洛阳光电研究所,河南,洛阳,471009;

  洛阳光电研究所,河南,洛阳,471009;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

  洛阳光电研究所,河南,洛阳,471009;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 O472.4;
• 关键词

  p-Al_xGa_(1-x)N; In气氛; 激活能; 深紫外LED;