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多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

         

摘要

通过对多层GaSh量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞.这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞.PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2010年第6期|859-863|共5页
  • 作者单位

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院研究生院,北京100039;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 发光学;
  • 关键词

    LP-MOCVD; GaSb量子点; PL谱; 关联效应;

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