MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

林秀华

首页> 中文期刊> 《发光学报》 >MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结(DH)结构的工艺与特性;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响.分析表明,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度,气流束源摩尔流量速率.若生长温度太高,引起PL发光谱峰向长波侧移动;GaN缓冲层生长温度必须控制在550℃.高的Ⅴ/Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中550nm辐射峰产生.为了获得高质量p-AlGaN、GaN层,控制生长温度和以Cp2Mg为杂质源的Mg受主掺杂量,并在N2气氛中800℃快速退火,有助于提高InGaN/AlGaN双异质结辐射复合效率.

著录项

来源
《发光学报》 |2000年第4期|324-329|共6页
作者
林秀华;
展开▼
作者单位

厦门大学,物理系、化学系固体表面物理化学国家重点实验室,福建,厦门,361005;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
InGaN/AlGaN; 工艺条件; 发光二极管; 生长动力学;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MOCVD生长的InGaN／GaN双异质结构LED的生长和表征 [J] . Kelle.S ,付士萍 . 半导体情报 . 1996,第005期
2. AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟 [J] . 刘芳 ,王涛 ,姚建铨 . 科学技术与工程 . 2006,第023期
3. 氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN/AlGaN双异质结中的聚集 [J] . 张泽 ,王岩国 ,李辉 . 电子显微学报 . 2002,第003期
4. MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料 [J] . 李忠辉 ,李亮 ,董逊 . 固体电子学研究与进展 . 2009,第4期
5. 基于MOCVD再生长n+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究 [J] . 吕元杰 ,冯志红 ,宋旭波 . 红外与毫米波学报 . 2016,第005期
6. AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究 [C] . Fanna Meng ,孟凡娜 ,Jincheng Zhang . 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 . 2012
7. InAlN/InGaN/(Al)GaN双异质结构材料生长与特性研究 [A] . 赵一 . 2016

MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅