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高密度激发下ZnTe晶体中与自由激子有关的发射

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摘要

在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半宽度展宽,这些结果可以用E_x—e和E_x—E_x的相互作用来解释。

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来源
《发光学报》 |1989年第2期|117-122|共6页
作者
郑著宏; 范希武;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 O432.12;
关键词
高密度; 激发; ZnTe晶体; 自由激子;

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