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张浩; 李俊; 赵婷婷; 郭爱英; 李痛快; 茅帅帅; 原理; 张建华;
上海大学 机械工程与自动化学院 上海 200072;
a-IGZO薄膜晶体管; Al2O3栅绝缘层; 原子层沉积; 共源极放大器;
机译:通过形成AZO / IGZO异质结源极/漏极触点来增强a-IGZO薄膜晶体管的性能
机译:基于5,5'-双联苯-二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]噻吩半导体和聚合物栅介质的高迁移率和低工作电压的有机薄膜晶体管
机译:基于ALD生长的Al_2O_3栅绝缘体的低压驱动和高迁移率薄膜晶体管的IZO / IGZO双有源层的生长
机译:具有IZO / IGZO堆叠有源层和Al反应源/漏区的自对准顶栅非晶氧化物薄膜晶体管
机译:带有金属置换的源极和漏极的薄膜晶体管
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:基于聚(3-己基噻吩)的低工作电压聚合物薄膜晶体管,以氧化铪作为栅介质
机译:透水基三极管,对置栅 - 源晶体管和异质结构发射弹道场效应晶体管比较电性能的数值模拟
机译:逻辑电路的薄膜晶体管,即薄膜FET,是LCD的制造方法,涉及在具有源极和漏极的结构层上形成栅极绝缘层,并在绝缘层上提供顶栅电极
机译:在用于显示装置的基板上制造薄膜晶体管涉及在栅电极和半导体层之间形成两个绝缘层,并在半导体层的两侧形成源极和漏极。
机译:可用于有源矩阵应用的底栅型薄膜晶体管具有掺杂的半导体层,用于在沟道区和源极-漏极触点之间形成欧姆结
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