940 nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备

术玲; 海一娜; 邹永刚; 范杰; 王傲

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940 nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备

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水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。

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来源
《发光学报》 |2021年第2期|P.223-230|共8页
作者
术玲; 海一娜; 邹永刚; 范杰; 王傲;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
面发射分布反馈(SE-DFB)半导体激光器; 二阶光栅; 光栅形貌; 耦合因子;

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