大功率倒装LED芯片陶瓷封装器件顶面微区发光均匀性

李晓珍; 熊传兵; 汤英文; 郝冬辉

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大功率倒装LED芯片陶瓷封装器件顶面微区发光均匀性

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高功率密度的陶瓷封装LED器件在大电流工作时,其顶面发光均匀性是该类器件的关键指标.本文在3.5 mm×3.5 mm的氮化铝陶瓷基板上金锡共晶了1.905 mm×1.830 mm(75 mil×72 mil)的LED倒装蓝光大功率芯片,然后分别制作成蓝光器件和白光器件,并分别对器件顶面的微区发光均匀性进行了研究.结果表明,蓝光器件在电流<3A时,其顶面光强分布均匀,均匀性受N电极孔和电极间隙的影响较小;在4～8 A电流时,蓝光器件顶面光强分布不均匀,贯穿N电极孔测试区的光强大于电极孔之间测试区的光强,电极间隙区光强最低,离N电极孔越远的测试点光强越低;蓝光器件在8A时整体光强达到饱和,而不同微区的光饱和程度及峰值波长随电流的变化有所不同;白光器件在0～4A电流时,其顶面光强分布均匀.

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来源
《发光学报》 |2021年第9期|1436-1445|共10页
作者
李晓珍; 熊传兵; 汤英文; 郝冬辉;
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作者单位

闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州 363000;

闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州 363000;

闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州 363000;

闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州 363000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
微区发光; 倒装芯片; 电极孔; 电极间隙;

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