俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响

著录项

• 来源
  《发光学报》 |2021年第7期|897-903|共7页
• 作者

  王玮东; 楚春双; 张丹扬; 毕文刚; 张勇辉; 张紫辉;

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• 作者单位

  河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 天津300401;

  河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津300401;

  河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 天津300401;

  河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津300401;

  河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 天津300401;

  河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津300401;

  河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 天津300401;

  河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津300401;

  河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 天津300401;

  河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津300401;

  河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 天津300401;

  河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室 天津300401;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN312.8;
• 关键词

  深紫外发光二极管; 俄歇复合; 电子泄漏; 空穴注入; 效率衰退;