退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 汪度; 陆大成; 王占国;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室;
极性; GaN/Al2O3; MOVPE;
机译:基于氨氮化镓外性结构在蓝宝石和硅基板上生长的基于氮化镓异质结构的晶体管特性
机译:杂交SiC / Si衬底上GaN / AlN异质结构外延合成中氮化镓层极性的方法
机译:研究氮化镓异质晶体管的特性的由氨MBE在蓝宝石衬底上和硅生长
机译:通过显微拉曼成像利用两个激光束同时照射,通过微观拉曼成像分析氮化镓 - 氮化镓/氮化镓异质结构中的局部热能输送
机译:发光二极管的氮化镓/蓝宝石和氧化锌/蓝宝石异质结构(极性和非极性)中的薄膜外延,缺陷和界面。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:氮化镓系垂直发光二极管元件中蓝宝石基材料和晶体薄膜的分离方法及氮化镓系垂直发光元件的结构
机译:氮化镓铝阻挡层和单独的限制异质结构(SCH)层,用于基于半导体的半极性平面III氮化物半导体发光二极管和激光二极管
机译:用于基于氮化物半导体的半极性平面III类半导体的发光二极管和激光二极管的氮化铝镓阻挡层和单独的限制异质结构(SCH)层
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。