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侧向微结构宽脊波导分布反馈1.06μm半导体激光器

         

摘要

为了改善宽脊波导半导体激光器侧模特性和光谱特性,提出了一种具有侧向微结构脊波导和高阶脊表面光栅的分布反馈半导体激光器。该激光器在宽脊波导的两侧刻蚀微结构区,基于各阶侧模光场分布不同的特性,增大了谐振腔内基侧模与高阶侧模的损耗差,消除了远场光斑“多瓣”现象并且输出功率有所提升;同时,借助高阶脊表面光栅,器件的线宽得到了进一步压窄。在脊波导宽度50μm、腔长1 mm的情况下,与宽脊波导半导体激光器相比,制备的激光器件在0.6 A驱动电流下实现了对高阶侧模的抑制,输出功率、斜率效率、电光转换效率分别提升了16.4%、17.9%、15%,并且光谱特性得到了有效的改善,光谱线宽约为39 pm。

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