储锂硅材料的ESR谱研究

周晓荣; 刘小波; 庄林; 陆君涛

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储锂硅材料的ESR谱研究

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采用了电化学方法制备储锂硅材料,并用电子自旋共振(ESR)方法进行研究.实验结果表明,储锂前的硅ESR行为符合居里自旋的ESR特征,ESR信号主要来源于硅材料中的晶格缺陷、表面悬空键等局域化自旋中心.储锂后硅材料中产生了泡利自旋,居里自旋的强度比储锂前增大2～3倍.此外,对硅和储锂硅ESR谱线的g因子和ΔHpp随温度的变化情况也进行了分析.硅材料电化学储锂时,与锂离子中和的电子主要参与形成Li-Si共价键,对ESR信号贡献很小.

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来源
《波谱学杂志》 |2009年第2期|223-229|共7页
作者
周晓荣; 刘小波; 庄林; 陆君涛;
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作者单位

武汉工业学院,化学与环境工程系,湖北,武汉,430023;

武汉工业学院,化学与环境工程系,湖北,武汉,430023;

武汉大学,化学与分子科学学院,湖北,武汉,430072;

武汉大学,化学与分子科学学院,湖北,武汉,430072;

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正文语种 chi
中图分类电化学、电解、磁化学;波谱分析;
关键词
电子自旋共振(ESR); 电化学; 硅; 储锂硅;

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