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小脑参与痛觉调节的fMRI研究

         

摘要

目的利用功能磁共振成像技术(fMRI)观察小脑各亚区在不同强度电刺激时的激活反应,探讨小脑对于痛觉调控的作用.方法对10名右利手健康志愿者分别施加1倍痛阈、3倍痛阈两个不同强度的电刺激任务,同期进行全脑fMRI扫描,应用功能性神经图像分析(AFNI)软件包进行后处理以显示小脑激活的变化.结果非伤害性电刺激(1倍痛阈强度)主要激活对侧小脑半球小叶Ⅵ、Ⅶ区和同侧小脑半球Ⅶ、Ⅷ区,以同侧半球的BOLD信号较强;伤害性电刺激(3倍痛阈强度)诱发的激活区主要位于同侧小脑半球小叶Ⅲ~Ⅵ区,对侧小脑半球Ⅵ区,前蚓部,蚓旁区和深部小脑核团的一部分(顶核和齿状核),其中仍以同侧激活区范围较大,信号亦明显强于对侧.结论高强度痛觉电刺激额外激活同侧小脑半球小叶Ⅲ~Ⅵ区,前蚓部,蚓旁区和深部小脑核团,这些脑区应该属于小脑伤害感受性环路的一部分,它们可能在全身痛觉调控网络中更为重要.

著录项

  • 来源
    《中国医学影像技术》 |2006年第1期|27-30|共4页
  • 作者单位

    西安交通大学第一医院影像中心,陕西,西安,710061;

    浙江大学邵逸夫医院放射科博士后流动站,浙江,杭州,310016;

    西安交通大学第一医院影像中心,陕西,西安,710061;

    浙江大学邵逸夫医院放射科博士后流动站,浙江,杭州,310016;

    浙江大学邵逸夫医院放射科博士后流动站,浙江,杭州,310016;

    西安交通大学第一医院影像中心,陕西,西安,710061;

    西安交通大学第一医院影像中心,陕西,西安,710061;

    西安交通大学第一医院影像中心,陕西,西安,710061;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 核磁共振成像;
  • 关键词

    磁共振成像,功能性; 电刺激; 痛觉; 小脑;

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