GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究

高慧; 杨瑞霞

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GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究

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基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率.通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV.采用该工艺条件制造了具有对应有序度的GalnP材料,分别作为GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池顶子电池的发射区/基区.测试结果表明,与参照电池比较,新结构太阳电池光照电流电压(LIV)特性参数在电流密度方面获得了明显的提高.

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来源
《电源技术》 |2021年第10期|1324-1326|共3页
作者
高慧; 杨瑞霞;
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作者单位

河北工业大学电子信息工程学院天津300401;

中国电子科技集团公司第十八研究所天津300384;

河北工业大学电子信息工程学院天津300401;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电池;
关键词
GaInP; 有序度; 三结太阳电池; PN结; 电流密度;

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