一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

胡光伟; 刘泽文; 侯智昊; 李志坚

首页> 中文期刊> 《传感技术学报》 >一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RF MEMS开关.单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构.整个SP4T开关包括与50 Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad).测试数据表明,开关驱动电压18.8 V;插入损耗S21<0.26 dB@DC-3 GHz,S31<0.46 dB@DC-3 GHz;隔离度S21>69.5 dB@DC-3 GHz,S31>69.2 dB@DC-3 GHz.结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3 GHz的频段内均较小,非常适合低频使用.

著录项

来源
《传感技术学报》 |2008年第4期|656-659|共4页
作者
胡光伟; 刘泽文; 侯智昊; 李志坚;
展开▼
作者单位

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

清华大学微电子学研究所,北京,100084;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微波半导体器件;微波传输控制元件;真空镀膜;
关键词
RF MEMS; 开关; 单刀多掷; 接触式;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 低驱动电压RF MEMS悬臂梁开关的对比研究27 [J] . 欧书俊 ,张国俊 ,王姝娅 . 电子产品世界 . 2020,第007期
2. 低驱动电压RF MEMS开关设计过程中的有限元分析 [J] . 伍文昌 ,胡宜芬 . 新乡学院学报（自然科学版） . 2015,第009期
3. 低驱动电压RF MEMS开关设计过程中的有限元分析 [J] . 伍文昌 ,胡宜芬 . 新乡学院学报：自然科学版 . 2015,第009期
4. 低驱动电压两端固定"桥"式RF MEMS开关的研制 [J] . 孙建海 ,崔大付 ,张璐璐 . 仪表技术与传感器 . 2009,第010期
5. 低驱动电压电容式RF MEMS开关结构设计优化 [J] . 高杨 ,刘佳 ,白竹川 . 微纳电子技术 . 2009,第3期
6. 低驱动电压CPW电容式MEMS旁路开关的研制 [C] . 孙建海 ,崔大付 ,苏波 . 第九届全国敏感元件与传感器学术会议 . 2005
7. 低驱动电压并联电容式RF MEMS开关设计与优化 [A] . 白从凯 . 2009

一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅