RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究

李丽; 张志国; 赵正平; 郭文胜

首页> 中文期刊> 《传感技术学报》 >RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究

RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用RF MEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2 GHz的MEMS VCO器件.RF MEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2 GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007 GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107 dBc/Hz,此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件.并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较,说明由于集成了RF MEMS可变电容,使得在RF MEMS可变电容的机械谐振频率近端时,MEMS VCO的相位噪声特性发生了改变.

著录项

来源
《传感技术学报》 |2006年第5期|1907-1910|共4页
作者
李丽; 张志国; 赵正平; 郭文胜;
展开▼
作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类振荡技术、振荡器;
关键词
RF MEMS; 可变电容; Q值; 压控振荡器; 单边带相位噪声;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究 [J] . 李丽 ,张志国 ,赵正平 . 传感技术学报 . 2006,第05B期
2. 一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制 [J] . 李丽 ,赵正平 ,张志国 . 半导体学报：英文版 . 2006,第5期
3. 基于柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性研究 [J] . 隋东辰 ,陈立军 ,韩磊 . 传感技术学报 . 2021,第007期
4. 低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制 [J] . 陈继新 ,洪伟 ,殷晓星 . 红外与毫米波学报 . 2006,第004期
5. 相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制 [J] . 郭方敏 ,朱守正 ,魏华征 . 华东师范大学学报（自然科学版） . 2004,第001期
6. RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究 [C] . 李丽 ,张志国 ,赵正平 . 第八届中国微米/纳米技术学术年会 . 2006
7. 具有良好杂散和相位噪声特性的频率合成器研制 [A] . 曾梦泉 . 2014

RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅