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卓敏; 贾世星; 朱健; 张龙;
南京电子器件研究所,南京210016;
微惯性器件; ICP刻蚀; 底切; 根切; 分步工艺;
机译:ICP-MS分析辉钼矿化学刻蚀中的s同位素比率,该化学刻蚀用于初次中子活化的Re-Os定年
机译:ICP-RIE干法刻蚀制备SiC纳米柱的自组装微掩膜效应
机译:ICP各向同性刻蚀制备SiO2微悬臂梁
机译:用于交替孔径相移光掩模制造的石英等离子刻蚀:利用下一代ICP源的刻蚀速率均匀性研究
机译:氧化铜-PDMS的溶蚀刻蚀特性,用于开发微/纳米-颗粒复合MEMS腐蚀传感器
机译:用于无掩模纳米级刻蚀的微介质阻挡放电反应器SiNx薄膜的制备
机译:通过ICP-RIE氧化和湿法刻蚀可控制刻蚀速率的AlGaN / GaN的精密凹槽
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析
机译:显微镜附着吸收模具局部微等离子体刻蚀装置及局部微等离子体刻蚀方式
机译:铜或铜合金的微刻蚀剂及其使用的微刻蚀方法
机译:可以通过ICP型刻蚀设备有效去除相移掩模上残留的抗蚀剂的相移掩模的制备方法
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