掺Sb2O3的SnO2与Fe2O3厚膜的电学行为及气敏特性

陈春华; 刘杏芹

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掺Sb2O3的SnO2与Fe2O3厚膜的电学行为及气敏特性

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介绍掺入Sb_2O_3后的SnO_2和FeO_3(由γ-Fe_2O_3-热处理得到)气敏厚膜元件电阻和灵敏度的变化规律:对于SnO_2基元件,Sb_2O_3具有低掺杂(<4%wt)电阻变小,高掺杂电阻增大的作用,但气敏性降低;对于Fe_2O_3基元件,掺入Sb_2O_3后不但能降低电阻、提高气敏性,而且对丙酮的选择性也增强.指出Sb^(3+)→Sb^(5+)变化对上述效应起着重要作用,并探讨了Fe_2O_3基元件表面化学吸附增强的原因.

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来源
《传感技术学报》 |1992年第4期|17-22|共6页
作者
陈春华; 刘杏芹;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类敏感器件;
关键词
气敏元件; 氧化锑; 掺杂陶瓷;

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