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张伟杰; 戴建明; 朱雪斌; 常青; 刘强春; 孙玉平;
Key Laboratory of Materials Physics;
Institute of Solid State Physics;
Chinese Academy of Sciences;
Hefei 230031;
China;
薄膜沉积; 损耗角正切; K掺杂; BaO; 可调性; TiO3; 电介质; 化学溶液沉积法;
机译:Improvement of dielectric loss tangent of Al_(2)O_(3) doped Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_(3) thin films for tunable microwave devices
机译:The effect of Cr doping on the microstructural and dielectric properties of (Ba0.6Sr0.4)TiO3 thin films
机译:Improving dielectric loss and enhancing figure of merit of Ba0.5Sr0.5Ti0.95Mg0.05O3 thin films doped by aluminum
机译:ER-DOPED的室温抗性和PTCR性能(BA,SR,CA)TiO3
机译:宽带隙钙钛矿氧化物的分子束外延:(Ba,Sr)TiO3和BaSnO3
机译:新型无铅Bi0.5(Na0.40K0.10)TiO3-(Ba0.7Sr0.3)TiO3压电陶瓷的研究
机译:YB2O3Doped(Ba1SR1CA)TiO3 TiO3 TiO3薄膜的致密化和介电性能
机译:(Ba,sr)TiO3和(pb,sr)TiO3体系的介电非线性和损耗
机译:TiO3电介质薄膜形成的(Ba和Sr)成分以及TiO3的(Ba和Sr)形成方式
机译:(ba.sub.1-x Sr.sub.x)RuO.sub.3 /Ba.sub.1-x Sr.sub.x)TiO3 /(Ba.sub.1)的金属有机化学气相沉积-x SRx)RuO.sub.3电容器,用于高介电材料
机译:掺Li2O(Ba,Sr)TiO3的低烧结铁电陶瓷
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