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Double-Exponentially Decayed Photoionization in CREI Effect: Numerical Experiment on 3D H2^+

         

摘要

在 3D H-2 (+) 系统的站台上,我们在刺激下面执行它的光电游离率的数字模拟对有改变脉搏持续时间和波长的强烈激光紧张弱。一个新奇方法为计算光电游离率被建议:电离概率的双指数的腐烂最好适合适合这率。记录得好的 charge-resonance-enhanced 电离(CREI ) 的证实在中等激光紧张的效果并且在高轻的紧张电离浸透结束支持建议双 exponential 腐烂过程的坚韧性。调查电子波浪功能的空间、时间的变化揭开为双 exponentially 的机制腐烂了光电游离概率作为沿着自由的额外的度的电子电离的发作。从今以后,新方法处于光电游离率弄明白山峰特征的起源对内部原子分离。这多指数地腐烂的电离机制对有运动的更多的度的系统适用,这被相信。

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