Unipolar Resistive Switching Effects Based on Al/ZnO/P^(++)-Si Diodes for Nonvolatile Memory Applications

著录项

• 来源
  《中国物理快报：英文版》 |2012年第8期|205-208|共4页
• 作者

  石伟; 邰强; 夏先海; 仪明东; 解令海; 范曲立; 汪联辉; 魏昂; 黄维;

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• 作者单位

  Key Laboratory for Organic Electronics&Information Displays and Institute of Advanced Materials;

  Nanjing University of Posts&Telecommunications;

  Nanjing 210046;

  Jiangsu-Singapore Joint Research Center for Organic/Bio Electronics&Information Displays;

  Nanjing 210046;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体技术;
• 关键词

  diodes; Switching; resistance;