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施煜; 孙清清; 董琳; 刘晗; 丁士进; 张卫;
State Key Laboratory of ASIC and System;
Department of Microelectronics;
Fudan University;
Shanghai 200433;
表面钝化; Al2O3; 反应途径; 原子层沉积; 密度泛函理论; SiGe; 二聚体; 三甲胺;
机译:把低成本高效过滤器文件膜对油/水分离Atomic-Layer-Deposition-Enabled疏水化
机译:基于一个高效ser基质atomic-layer-deposition-tailored eanorod数组脚手架
机译:atomic layer deposition of ta_2O_5/PO了一米的nano laminates
机译:使用GeSi EAM进行短距离光学互连的100 Gb / s无DAC和无DSP发射机
机译:在带有应力诱导的自限互扩散的纳米尖端图案化Si(100)衬底上生长GeSi纳米岛
机译:29si NmR and UV#8722;Raman Investigation of Initial Oligomerization Reaction pathways in acid-Catalyzed silica sol#8722;Gel Chemistry
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