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Tuning Bandgap of Si-C Heterofullerene-Based Aanotubes by H Adsorption

         

摘要

我们理论上证明 H 原子能化学上被吸附到原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 的表面上。没有任何障碍,原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 上的 H 原子的吸附的精力在 4.28-5.66eV 的范围让 H 原子来临到原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes。原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 的乐队差距能被介绍掺杂物状态戏剧性地修改,即,从半导体有转变到 H 原子的吸附导致的原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 的售票员。这些结果实际上打开一个方法调节基于 heterofullerene 的 nanotubes 的电子性质并且可以因此为乐队结构工程建议一条有效小径。[从作者抽象]

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